产品型号:1837/4793

产品介绍

SJT1837PF PNP型硅三极管

描述

SJT1837PF   PNP 型硅三极管采用平面三极管工艺技术制 造, 多层外延、超低密度晶体缺陷、聚酰亚胺钝化、小于 200 微米的薄芯片等先进技术的使用使得 SJT1837PF 具有热阻低、耗散功率大、可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于家用电器、AV 器材、专业音响设备、汽车音响等音频功率放大器的功率输出级或驱动级,具有线性范围宽、失真度低的特点。

SJT1837PF 三极管目前可提供 TO-220F-3L 封装外形。与 SJT1837PF 配对的互补 NPN 管:SJT4793NF。

 

特点

较高的击穿电压余量。

非常低的漏电电流。

高输出功率:20W;

较高的二次击穿耐量和可靠性。

 

产品命名规则


 

 

 

产品规格分类

 

产 品 名 称

封装形式

打印名称

材料

包装

SJT1837PF

TO-220F-3L

SJT1837PF

无铅

料管

 

极限参数(除非特殊说明,Ta=25°C)


参 数

符 号

参 数 范 围

单 位

集电极、发射极击穿电压

BVCEO

-250

IC=1mA,IB=0

V

发射极、基极击穿电压

BVEBO

-5

IE=1mA,IC=0

V

集电极、基极击穿电压

BVCBO

-250

IC=100uA,IE=0

V

集电极电流

IC

-1

A

基极电流

IB

-0.1

A

工作结温

TJ

150

°C

存储温度范围

Tstg

-55~+150

°C

集电极耗散功率(Tc=25°C)

PC

20

W

 

电参数(除非特殊说明,Ta=25°C)

参 数

符 号

测 试 条 件

最小值

典型

最大值

单位

直流电流增益

hFE

VCE=-5V,IC=-100mA

100

-

320

-

集电极、发射极饱和压降

VCE(sat)

IC=-500mA,IB=-50mA

-

 

-1

V

基极、发射极电压

VBE

VCE=-5V,IC=-500mA

-

-

-1

V

集电极、基极漏电电流

ICBO

VCB=-250V,IE=0

-

-

-1

μA

集电极、发射极漏电电流

ICEO

VCE=-230V,IB=0

-

-

-20

μA

发射极、基极漏电电流

IEBO

VEB=-5V,IC=0

-

-

-1

μA

三极管频率

FT

VCE=10V,IC=100mA

-

100

-

MHZ

集电极输出电容

COB

VCB =-10V,Ic =0,f =1MHz

-

25

-

pF

 

特性曲线



特性曲线(续)


 

封装外形图

 

 

 

 

 

 

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