产品型号：1943/5200
SJT5200 NPN型硅三极管
描述
SJT5200NPL NPN 型硅三极管采用平面三极管工艺技术制造。
该产品主要应用在 150W 高保真音频放大输出。SJT5200NPL 三极管目前可提供 TO-264-3L 封装外形。互补 PNP 管：SJT1943PPL。
较高的击穿电压。
很小的漏电电流。
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产 品 名 称 |
封装形式 |
打印名称 |
材料 |
包装 |
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SJT5200NPL |
TO-264-3L |
5200 |
无铅 |
料管 |
极限参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
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参 数 |
符 号 |
参 数 范 围 |
单 位 |
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|
集电极、发射极击穿电压 |
BVCEO |
230 |
IC=5mA，IB=0 |
V |
|
发射极、基极击穿电压 |
BVEBO |
5 |
IE=1mA，IC=0 |
V |
|
集电极、基极击穿电压 |
BVCBO |
230 |
IC=1mA，IE=0 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
15 |
A |
|
|
基极电流 |
IB |
1.5 |
A |
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工作结温 |
TJ |
-55~+150 |
°C |
|
|
存储温度 |
Tstg |
-55~+150 |
°C |
|
|
集电极耗散功率（Tc=25°C） |
PC |
150 |
W |
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电参数(除非特殊说明，Ta=25°C)
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参 数 |
符 号 |
测 试 条 件 |
最小值 |
典型 |
最大值 |
单位 |
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直流电流增益 |
HFE |
VCE=5V，IC=1A |
55 |
- |
160 |
- |
|
VCE=5V，IC=7A |
35 |
- |
- |
- |
||
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集电极、发射极饱和压降 |
VCE(sat) |
IC=8A，IB=0.8A |
- |
0.3 |
2 |
V |
|
基极、发射极电压 |
VBE |
VCE=5V，IC=7A |
- |
0.9 |
1.5 |
V |
|
集电极、基极漏电电流 |
ICBO |
VCE=230V，IB=0 |
- |
- |
5 |
μA |
|
发射极、基极漏电电流 |
IEBO |
VCB=5V，IC=0 |
- |
- |
5 |
μA |
|
集电极输出电容 |
COB |
VCB =-10V，IE =0，f =1MHz |
- |
200 |
- |
pF |
典型特性曲线
